Laboratoire LTM (Laboratoire des Technologies de la Microélectronique)
Le LTM est un laboratoire de recherche commun au CEA, au CNRS et à l’Université Grenoble Alpes, situé à Grenoble. Il est spécialisé dans les technologies avancées de la microélectronique et des nanotechnologies.
Le laboratoire développe des dispositifs innovants pour l’électronique, les capteurs, les micro-systèmes et les technologies quantiques, en combinant recherche fondamentale et applications industrielles.
Grâce à ses plateformes technologiques de pointe, le LTM joue un rôle clé dans l’écosystème scientifique et industriel grenoblois, contribuant au développement de solutions performantes et durables dans le domaine de la nanoélectronique.
LTM Laboratory (Laboratory of Microelectronics Technologies)
LTM is a joint research laboratory of CEA, CNRS, and the University of Grenoble Alpes, located in Grenoble. It specializes in advanced microelectronics and nanotechnology.
The laboratory develops innovative devices for electronics, sensors, microsystems, and quantum technologies by combining fundamental research and industrial applications.
Thanks to its state-of-the-art technological platforms, LTM plays a key role in the Grenoble scientific and industrial ecosystem, contributing to the development of high-performance and sustainable solutions in the field of nanoelectronics.
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https://euraxess.ec.europa.eu/jobs/370634
Dans le cadre du projet Européen « NeAIxt » de type CIPS JU IA, le LTM a obtenu le financement de 60 mois de chercheur pour conduire une recherche sur les matériaux ferroélectriques en vue de concevoir et de réaliser des cellules mémoires non volatiles.
La mission principale du chercheur consiste à élaborer des structures de types métal-isolant-métal (MIM) par dépôts de couches atomiques (ALD), d’étudier leurs propriétés ferroélectriques et d’en caractériser les performances en termes d’endurance, c’est-à-dire leur capacité à supporter un grand nombre de cyclage de la polarisation ferroélectrique.
Il s’agit ensuite d’intégrer ces structures dans une matrice de des cellules mémoires adressées par des transistors dans l’objectif de réaliser un démonstrateur pré-industriel.
- Connaissance requises :
- Dépôts de couches minces, notamment par ALD
- Caractérisation physico-chimique, notamment XRD, XRR et XPS
- Caractérisation électrique de type polarisation-tension (P-V), courant-tension (I-V et capacité-tension (C-V).
- Physique de dispositifs électroniques intégrés
- Physique des matériaux (cristallographie, ferroélectricité, …)
- Savoir-Faire :
- Réalisation des dépôts de couches minces ferroélectriques en utilisant des équipements ALD et PVD
- Utilisation des diffractomètres et réaliser des caractérisations physico-chimique, notamment XRD et XRR et d’en interpréter les résultats
- Utilisation d'un équipement de spectroscopie de photoélectrons X, le XPS et interprétation des résultats
- Rédaction d'article scientifique en vue d'une publication / suivi des échanges avec l’éditeur et les rapporteurs
- Savoir-être :
- Proactivité / prise d'initiatives
- Autonomie dans la réalisation de ses missions
- Faculté à encadrer des chercheurs juniors, notamment niveau Master
- Capacité de travailler en équipe