Grand établissement public d'enseignement supérieur, pôle de recherche reconnu, élément fondateur de l'écosystème grenoblois : Grenoble INP, l'institut d'ingénierie et de management de l’Université Grenoble Alpes (UGA), occupe une place de premier plan dans la communauté scientifique et industrielle.
Grenoble INP - UGA est membre de réseaux internationaux de formation et recherche en ingénierie et management.
Il est reconnu dans les classements nationaux et internationaux.
CROMA (Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes, anciennement IMEP-LAHC) est une unité mixte de recherche de Grenoble INP - UGA, de l'Université Grenoble Alpes, de l'Université Savoie Mont-Blanc et du CNRS ; fortement impliquée dans les recherches relatives à la micro et nano électronique, à la microphotonique, aux micro et nano-systèmes, aux microondes et optomicroondes.
Site internet : https://croma.grenoble-inp.fr/
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https://euraxess.ec.europa.eu/jobs/417495
Activités principales
• Simulations TCAD sous Synopsys SENTAURUS pour l'étude du comportement des amplitudes RTN en fonction des paramètres de fabrication (géométrie, structure de grille, dopage du canal, etc.), ainsi que des tensions appliquées et de la température.
• Simulations Monte-Carlo de la position aléatoire des pièges pour reproduire la variabilité du bruit mesurée expérimentalement.
• Développement d'une extraction automatique, assistée par IA, des paramètres RTN à partir des séries temporelles mesurées sur la plaquette (plus de 100 séries temporelles par dispositif).
Méthodologie
Le/la chercheur(euse) sera responsable d'une série de simulations TCAD avec l'outil Synopsys SENTAURUS sur une structure MOSFET FD-SOI simple (de référence) afin d'obtenir :
1) l'impact électrostatique d'un piège sur la charge totale, en fonction de sa position le long du canal, de sa profondeur dans l'oxyde, des dimensions du canal et des différents régimes de fonctionnement du MOSFET, ainsi que de la température ;
2) la densité de charge et le potentiel local au voisinage du piège, nécessaires au calcul théorique (avec les modèles SRH ou NMP) de τc et τe.
En parallèle des simulations, le/la chercheur(euse) réalisera la caractérisation expérimentale du bruit basse fréquence (LFN) et du bruit télégraphique aléatoire (RTN) dans les composants FD-SOI de ST Microelectronics, incluant l'extraction de paramètres critiques tels que la densité de pièges dans l'oxyde et les caractéristiques de chaque impulsion RTN détectée. Une attention particulière sera portée à la dépendance à la température, et grâce aux stations cryogéniques du CROMA, il sera possible d'atteindre des températures jusqu'à 4 K si nécessaire. De plus, des mesures à ST Crolles seront probablement possibles.
Profil candidat.e
Compétences:
solides connaissances en physique des dispositifs électroniques (plus particulièrement du transistor MOS)
forte motivation pour la recherche et le travail scientifique
maîtrise d'au moins un logiciel de CAO technologique (par exemple, Sentaurus)
expérience du traitement de données (idéalement en Python) et/ou des méthodes d'intelligence artificielle
excellent niveau d'anglais aussi bien à l'oral comme à l'écrit
connaissance des notions de variabilité ou de fluctuations électriques (bruit)